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25. - 27. Februar 2020 // Nürnberg, Germany

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Superjunction-Leistungs-MOSFET TK040N65Z

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Der Leistungs-MOSFET TK040N65Z ist ein 650 V-Baustein, der Drain-Dauerströme (ID) bis zu 57 A und gepulst (IDP) bis 228 A unterstützt. Dieser Mosfet gehört zu der Serie von 650 V-Leistungs-MOSFETs (DTMOS VI ), die für Server-Stromversorgungen in Rechenzentren, Power Conditioner in der Photovoltaik, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und andere industrielle Anwendungen vorgesehen ist. Er bietet einen äußerst niedrigen Drain-Source-Durchlasswiderstand RDS(ON) von 0,04 Ω (typ. 0,033 Ω), womit geringere Verluste in Leistungselektronikanwendungen auftreten. Durch seine geringe Kapazität innerhalb des Designs ist dieser MOSFET ideal für den Einsatz in modernen, schnell schaltenden Stromversorgungen geeignet.

Der Wirkungsgrad der Stromversorgung verbessert sich durch den geringeren RDS(ON) x Qgd Wert. Der TK040N65Z zeigt bei dieser wichtigen Kennzahl eine Verbesserung von 40 % gegenüber dem Vorgänger DTMOS IV-H, was einen erheblichen Gewinn von 0,36 % beim Wirkungsgrad einer Stromversorgung darstellt – gemessen in einem 2,5kW-PFC-Schaltkreis (Leistungsfaktorkorrektur).

Der neue Leistungs-MOSFET wird im TO-247-Standardgehäuse ausgeliefert, das kompatibel zu bisherigen Designs ist und sich genauso für neue Projekte eignet.
Der TK040N65Z ist ab sofort erhältlich.
 

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